[发明专利]AC性能改进的高电压NPN双极型器件的生产方法无效
| 申请号： | 02810559.1 | 申请日： | 2002-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1535481A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 杰弗利·约翰森;艾尔文·约瑟夫;维德亚·拉玛查德兰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种提高异质结双极型器件的速度，而不会对该器件的耐久性产生负面影响的方法。所述方法包括下述步骤：形成至少包括双极型器件区的结构，所述双极型器件区至少包括形成于下集电区区(12)上的集电极区(14)；和在集电极区内形成n型掺杂区，其中n型掺杂区(18)的垂直宽度小于200纳米(2000埃)，最大浓度小于所述集电极区的最大浓度。本发明还提供一种制备异质结双极型晶体管器件的方法以及所述器件本身，所述异质结双极型晶体管器件可用在各种应用中，包括用作移动电话机的组件，个人数字助手的组件以及要求速度和耐久性的其它类似应用。 | ||
| 搜索关键词： | ac 性能 改进 电压 npn 双极型 器件 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备半导体器件的方法，包括下述步骤：(a)形成具有第一掺杂类型的集电极，所述集电极包括下集电区和扩散区；(b)在所述下集电区上形成扩散区，所述扩散区具有所述第一掺杂类型；(c)形成基极；(d)形成发射极；其中所述扩散区具有足够窄的垂直宽度，以避免降低集电极-基极击穿电压，和足够高的掺杂，以便当基极-发射极结被正向偏置时，限制基极加宽。
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