[发明专利]半导体结构及改善其ESD与过负荷强度之方法有效
| 申请号： | 02810899.X | 申请日： | 2002-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1518770A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | K·迪芬贝克;C·赫祖姆;J·胡伯;K·米勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一半导体结构是包含一第一导电型态之一基层(100，IV)，该第一导电型态之一第一层(102，III)，其是配置于该基层(100，IV)之上，并具有低于该基层(100，IV)之掺质浓度之一掺质浓度，以及一第二导电型态之一第二层(104，II)，其是为了于该第一导电型态及该第二导电型态之间形成一过渡而与该第一层(102，III)一起操作。于介于该基层(100，IV)及该第一层(102，III)间之该过渡之一掺杂变量曲线之一行进路线(B、C、D)是加以设定，因此，在一ESD例子中，一移动至介于该基层(100，IV)及该第一层(102，III)间之该过渡的一空间电荷区域是延伸到达该基层(100，IV)之中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 改善 esd 负荷 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：一第一导电型态之一基层(100，IV)；该第一导电型态之一第一层(102，III)，其是配置于该基层(100)之上，并具有低于该基层(100，IV)之掺质浓度之掺质浓度；以及一第二导电型态之一第二层(104，II)，其是为了于该第一导电型态及该第二导电型态之间形成一过渡而与该第一层(102，III)一起操作；其中于介于该基层(100，IV)及该第一层(102，III)间之该过渡的一掺质变量曲线(dopant profile)之一行进路线(B、C、D、E、F)加以设定，因此，在一ESD(electron static discharge，静电放电)例子中，一移动至介于该基层(100，IV)及该第一层(102，III)间之该过渡的空间电荷区域是延伸到达该基层(100，IV)之中。
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