[发明专利]具有受控模场直径扩大匹配的光纤熔接无效
| 申请号： | 02811133.8 | 申请日： | 2002-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1526080A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | C·R·西科拉;J·R·昂斯托特;M·T·安德森;C·R·沙德特;L·J·唐纳尔兹;A·O·P·沙瑞利 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/255 | 分类号： | G02B6/255 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种熔接包括一个具有一个第一MFD和一个第一MFD热扩大率的第一光纤。该熔接进一步包括一个具有一个第二MFD和一个第二MFD热扩大率的第二光纤(100)，其中第二MFD小于第一MFD。第二光纤包括一个光纤芯(110)，一个径向包围光纤芯的包覆层(130)和一个在光纤芯和包覆层之间的高浓度的氟圈(120)。在熔接操作期间，第一光纤的MFD扩大率小于第二光纤的MFD扩大率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 受控 直径 扩大 匹配 光纤 熔接 | ||
【主权项】：
1.一种熔接包括：a)一个具有一个第一MFD和一个第一MFD热扩大率的第一光纤；b)一个具有一个第二MFD和一个第二MFD热扩大率的第二光纤，其中第二MFD小于第一MFD；c)第二光纤包括i)一个光纤芯，ii)一个径向包围光纤芯的包覆层，和iii)一个越过光纤芯和包覆层的边界，具有一个高氟浓度的圈；d)其中在熔接期间第一光纤的第一MFD热扩大率小于第二光纤的第二MFD热扩大率。
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