[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 02811257.1 | 申请日： | 2002-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1568525A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;中川敦;稻叶秀雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器，其中，延迟写入不妨碍刷新动作，并且在延迟写入的写入周期功耗降低。当地址ADD切换时，地址转移检测电路101检测此地址变化。状态控制电路102接收地址转移检测电路101的检测结果，根据输出允许信号/OE及写入允许信号/WE对应该进行的动作作出判断，输出读出指令RS、写入指令WS以及刷新指令FS中的一种。接着，按照时钟信号ACLK拾取地址等输入信号，进行与指令对应的动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，具有由需要刷新的存储单元构成的存储单元阵列，被异步地提供与存取地址一起的写入请求及写入数据，其特征在于，具有：随着所述存取地址的写入周期而对所述存储单元阵列进行刷新的存取装置；在提供所述写入请求的存储周期之后的时刻，对利用在该存储周期提供的所述存取地址及所述写入数据的写入，以延迟写入方式，在所述存取装置中进行的写入控制装置；以及，在进行所述延迟写入的写入周期，根据输出允许信号禁止读出动作的禁止读出控制装置。
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