[发明专利]用于判定加工层膜均匀性的方法及装置无效
| 申请号： | 02811527.9 | 申请日： | 2002-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1515030A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | M·I·赖特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于判定加工层膜的均匀性的方法包含提供具有栅格结构及形成于该栅格结构表面上的加工层膜的晶片；以光源照射至少部分于该栅格结构上层的加工层膜；测量来自于该栅格结构及该加工层膜的照射的部分的光线以产生反射轮廓；以及基于该反射轮廓判定该加工层膜的均匀性。一种适用于接收具有栅格结构及形成于该栅格结构表面上的加工层膜的晶片的测量机台包含光源、侦测器及数据处理单元。该光源适用于照射至少部分于该栅格结构上层的加工层膜。该侦测器适用于测量来自于该栅格结构及该加工层膜的照射的部分反射的光线以产生反射轮廓。该资处理单元基于该产生的反射轮廓而适用于判定该加工层膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 判定 加工 均匀 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于判定加工层膜(410)的均匀性的方法，包括：提供具有栅格结构(400)的晶片(205)及形成于该栅格结构(400)表面上的加工层膜(410)；以光源(222)照射至少部分位于该栅格结构(400)上层的加工层膜(410)；测量由该栅格结构(400)的被照射的部分及加工层膜(410)所反射的光线以产生反射轮廓；以及基于该反射轮廓判定该加工层膜(410)的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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