[发明专利]相移光刻掩模的曝光控制

摘要

本发明描述了一种掩模及集成电路制造方案，以使所谓“全相位”掩模的使用更加便利。这有助于使用掩模，其中使用相移来刻画布局的基本上所有部分。具体而言，描述了包括相移掩模和修整掩模之间的相对配量的曝光设置。另外，考虑了用于容纳两个掩模的单个光罩方案。在一个实施例中，使用除了相对配量之外的相同的曝光条件来对相移和修整掩模曝光。在另一个实施例中，相移图案和修整图案之间的相对配量是1.0∶r，2.0＜r＜4.0。这些方案有助于所得IC更好的曝光分布，并且可以因此改善芯片成品率，并通过降低改变设置和/或在曝光之间转换光罩的需要而提高生产量。

主权项

1.一种用于在集成电路(IC)中制造材料层的方法，所述层包括图案，所述层由布局数据刻画，所述方法包括：分析所述布局数据以确定是否要使用相移图案来刻画所述图案的实质部分；以及响应所述分析，配置光刻曝光系统以具有一组一个或多个控制曝光特性的光学参数的设置，以便对用于刻画材料层的至少第一掩模图案和第二掩模图案进行曝光，以便使用所述设置对每个掩模图案曝光，其中第一掩模图案包括交替的孔径相移图案，并且其中第二掩模图案包括修整图案。