[发明专利]硅液晶列存储影响的减少无效

专利信息
申请号: 02811545.7 申请日: 2002-06-06
公开(公告)号: CN1549995A 公开(公告)日: 2004-11-24
发明(设计)人: 唐纳德·H·威利斯 申请(专利权)人: 汤姆森特许公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吕晓章;马莹
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于减小列存储影响的方法。该方法包括步骤:激活(212)多个行电极中的一个;将视频输入信号选择性地施加(214)到多个列电极;以及在激活随后的列电极之前,将多个列电极中的至少一个设定(216)为基本上恒定的电压。在一种结构中,所述基本上恒定的电压相与一个平面场相关联。该方法也包括重复激活多个行电极中的一个的步骤、选择性地施加视频输入信号的步骤、以及将多个列电极中的至少一个设定为基本上恒定的电压的步骤,其中所述步骤可以在硅成像器中的液晶上执行。
搜索关键词: 液晶 存储 影响 减少
【主权项】:
1.一种用于减小视频成像器中列存储影响的方法,包括步骤:激活多个行电极中的一个;将视频输入信号选择性地提供给多个列电极;以及在激活随后的列电极之前,将多个列电极中的至少一个设定为基本上恒定的电压。
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