[发明专利]光刻掩模位相冲突的解决方法有效

专利信息
申请号: 02811546.5 申请日: 2002-06-07
公开(公告)号: CN1636165A 公开(公告)日: 2005-07-06
发明(设计)人: 克里斯托夫·皮拉特;米歇尔·L·科特 申请(专利权)人: 数字技术公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种光刻掩模,其用于在集成电路或其它工件中定义一层,其中所述层由包括在相移区域采用相移方法实现的多个特征部分的图形组成,所述掩模被布置成包括由高密度、小尺寸特征部分构成的图形和“全移位”图形。所述方法包括根据图形性质确定相移区域的分割区域。接着,所述方法在所选择的所述分割区域中分割相移区域以定义相移窗口,并给所述相移窗口设定位相值。所设定的相移值包括φ和θ,使得在具有各自相移值φ和θ的相邻相移窗口之间交替产生破坏性干涉。在优选实施例中,φ约等于θ+180度。将所述区域分割成窗口以及给所述窗口设定相移值的结果被保存在计算机可读介质中。
搜索关键词: 光刻 位相 冲突 解决方法
【主权项】:
1.一种用于制作光刻掩模的计算机可读定义的方法,所述掩模在将使用掩模形成的层中定义图形,其中所述图形包括多个特征部分,所述方法包括:根据所述图形的性质确定用于相移区域的分割区域;在相移区域中给相移窗口设定相位值;其中所述设定包括在所选择的分割区域中分割相移区域以定义相移窗口;以及在计算机可读介质中存储所述布置和所述设定的结果。
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