[发明专利]相移光刻掩模的设计和布局

摘要

本发明描述了一种用于限定全相位布局的方法，用于限定在集成电路中的材料层。所述方法可以用于限定、布置和精制移相器，来使用相移实质地限定所述层。通过所述处理，产生交替孔径、暗场相移掩模和互补掩模的计算机可读限定。掩模可以从所述限定建立，并且然后用于制造集成电路的材料层。在移相器或切口之间的分离被设计用于容易的掩模制造能力，并且也最大化了由相移掩模限定的每个图形的数量。成本函数用于描述相位分配的相对质量和选择较高质量的相位分配并降低相位冲突。

主权项

1.一种用于制造具有材料层的集成电路的方法，所述层由布局描述，其中使用相移来限定几乎所有的材料层，所述方法包括：在要使用相移限定的布局中识别多个图形，多个图形的每个包括多个边；将多个移相器形状布置在接近多个图形的各边，其中多个图形包括具有第一边和第二边的第一图形，所述第一边与第二边接合，其中多个移相器形状包括布置在第一边上的第一移相器形状和布置在第二边上的第二移相器形状，第一移相器形状和第二移相器形状分开最小的距离；按照相位相关性和建立多个移相器的成本向多个移相器形状分配相位；并精制该多个移相器。