[发明专利]包含流量增强特征的半导体衬底高压加工室

摘要

一种用于半导体衬底加工的高压室，它包含高压加工腔、多个注入喷嘴、以及第一和第二出口。高压加工腔在高压加工过程中夹持半导体衬底。多个注入喷嘴向着高压加工腔内取向成涡流角，且能够在半导体衬底表面上产生涡流。第一和第二出口位于多个注入喷嘴的中心附近，且能够在第一时间段提供第一出口的工作出口，并能够在第二时间段提供第二出口的工作出口。在一个备选实施方案中，高压加工腔的上表面包含高度变化。此高度变化对半导体衬底上流动的工艺流体产生了更为均匀的分子速度。

主权项

1.一种用于半导体衬底加工的高压室，它包含：a.半导体衬底的高压加工腔；b.向着高压加工腔内取向成涡流角的多个注入喷嘴，此多个注入喷嘴能够在半导体衬底表面上产生涡流；以及c.位于多个注入喷嘴的中心附近的第一和第二出口，此第一和第二出口能够在第一时间段提供第一出口的工作出口，并能够在第二时间段提供第二出口的工作出口。