[发明专利]制造掺碳氧化物膜的方法无效
| 申请号： | 02811810.3 | 申请日： | 2002-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1723295A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 易卜拉欣·安迪戴丝;凯文·彼得森;杰弗里·比耶夫菲尔德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;吴湘文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 沉积掺碳氧化物(CDO)。一种沉积方法，包括提供衬底；以及在衬底存在的情况下，将氧导入到掺碳氧化物前体中。掺碳氧化物膜形成在衬底上。在另一种方法中，衬底被放置在化学气相沉积装置的基座上。辅助气体随同掺碳氧化物前体和氧一起被导入，以在衬底上形成掺碳氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底；以及在所述衬底存在的情况下，将氧导入到掺碳氧化物前体，以在所述衬底上沉积掺碳氧化物膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
