[发明专利]低电压和界面免损聚合物存储器设备有效
| 申请号： | 02811811.1 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1554099A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 马克·伊森贝格尔;晓春·穆;健·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L21/64;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;吴湘文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种聚合物存储器设备及其制造方法。该存储器设备可以包括根据各个实施例提出表面工程技术需要的复层或者单层铁电性聚合物存储器。该铁电性聚合物存储器结构可以包括晶态铁电性聚合物层，例如单聚合物和共聚合物的组合物。该结构可以包括旋压和/或者Langmuir－Blodgett沉积组合物。本发明的一个实施例涉及制造该聚合物存储器设备的实施例的方法。本发明的一个实施例涉及允许存储器设备与各种现有主机连接的存储器系统。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 界面 聚合物 存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造存储设备的方法，包括：在衬底上形成第一电极；在所述衬底上形成铁电性聚合物结构；在所述铁电性聚合物结构上形成上部保护膜；和在第二保护膜上形成第二电极。
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