[发明专利]用于双栅极逻辑器件的中间制品

摘要

本发明提供一种双或双重栅极逻辑器件，其具有始终自对准的栅极导体，且其沟道的宽度不变。本发明还提供一种选择性地蚀刻含锗栅极导体材料，而不明显地蚀刻相邻硅沟道材料的方法。按此方式，栅极导体可被包覆于介电壳中，而不改变硅沟道的长度。此沟道材料可采用单晶硅晶片。自对准的双栅极MOSFET的柱或叠层，利用蚀刻并列重叠的含锗栅极导体区域所形成。栅极导体材料和介电绝缘材料的垂直蚀刻，提供了基本充分的自对准双栅极叠层。本发明同时提出一种可选择性地蚀刻栅极导体材料，而不蚀刻沟道材料的工艺。

主权项

1.一种用于双栅极逻辑器件的中间制品，包括：硅衬底，其具有至少一个主横向表面；第一层，其包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括介电填充材料而所述第二区域顺序包括第一绝缘层、第一含锗栅极导体层、栅极介电层和单晶硅层，所述第一和第二区域位于所述主横向表面上；以及第二层，其包括第三区域和第四区域，所述第三区域包括第二介电填充材料而所述第四区域包括第二栅极介电层、第二含锗栅极导体层和第二绝缘层，其中所述第四区域至少部分地与所述第二区域重叠，而所述第三区域至少部分地与所述第一区域重叠。