[发明专利]金属镶嵌极端远紫外线光刻技术用光掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 02812046.9 | 申请日： | 2002-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1695093A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 沛阳·严 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于极端远紫外线光刻(EUVL)辐射的光刻掩模。所述掩模包括：多层叠层，能充分反射所述EUVL辐射；附加多层叠层，在多层叠层顶部形成；以及吸收材料，在沟槽中形成，其中在所述附加多层叠层之中图案化所述沟槽。所述吸收材料能充分吸收EUVL辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 镶嵌 极端 紫外线 光刻 技术 用光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于极端远紫外线光刻技术的光刻掩模，包括：多层叠层，所述多层叠层能充分反射所述极端远紫外线光刻辐射；附加多层叠层，被形成到所述多层叠层的顶部；以及吸收材料，所述吸收材料被形成在所述附加多层叠层内的图案化的沟槽中，所述吸收材料能充分吸收极端远紫外线光刻辐射。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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