[发明专利]具有连续沉积和蚀刻的电离PVD

摘要

一种iPVD设备(20)通过在真空室(30)内循环执行沉积和蚀刻模式，将材料(10)沉积到半导体基片(21)上高形状比的亚微米结构(11)中。这些模式工作在不同的功率和压力参数下。例如大于50mTorr的压力用于从靶上溅射材料，而小于几mTorr的压力例如用于蚀刻。蚀刻时对基片的偏压功率要高一个数量级，蚀刻时产生几百伏偏压而沉积时仅有几十伏。交替执行的蚀刻模式去除基片上结构突出边缘的沉积材料，去除结构底部(15)一些沉积材料，将去除的沉积材料重新溅射到结构的侧壁(16)上。基片(21)在沉积和蚀刻过程中冷却，特别是蚀刻过程中冷却到明显低于0℃。RF能量耦合到室(30)内形成高密度等离子体，沉积期间耦合的RF功率明显高于蚀刻期间的。基片(21)在蚀刻过程比在沉积过程更靠近等离子体源。

主权项

1.一种iPVD工艺，包括：在一iPVD设备的室内将一基片密封，并且不打开室执行iPVD工艺，通过操作设备工作在沉积模式下，接着工作在蚀刻模式下，然后再工作在另一个沉积模式下，在基片上具有高形状比亚微米结构的表面上沉积导电层，这些模式的改变是通过控制设备工作的功率和压力参数，这些参数在沉积模式和在蚀刻模式下是不同的。