[发明专利]多级单元存储器结构无效
| 申请号： | 02812165.1 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1701388A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | S·塔尔雷亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多级单元存储器，它使用的一种结构是，不同字的各个二进制位被存入同一多级存储器单元。这可以改进存取时间，因为在该字被输出以前不必读出两个单元。因此，可以通过消除存取链的串行元件而改善存取时间。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 单元 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：通过在所述存储器阵列中只存取多个存储器单元的每一个的一位而从多级单元存储器阵列中存取一个字；和在输出第一个字以后，通过读出所述多个存储器单元的每一个的第二位而存取第二个字。
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