[发明专利]制造铌金属氧化物的方法无效
| 申请号： | 02812203.8 | 申请日： | 2002-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1529893A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·L·金梅尔;邱永坚 | 申请（专利权）人： | 卡伯特公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/052 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种至少部分地还原铌及化物的方法，其中该方法包括在吸气材料存在下对铌氧化物进行热处理，该热处理是在允许氧原子从铌氧化物转移至吸气材料的气氛中进行的，并且在足够的温度下进行足够的时间，以形成氧还原铌氧化物。本发明也描述了铌的氧化物和/或低价氧化物，还描述了包含由该铌氧化物和低价氧化物制成的阳极的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器阳极，包含铌氧化物，铌与氧的原子比为1∶小于2.5，在形成电压约6伏特或更高电压下形成，DC泄漏小于15nA/CV，其中所述DC泄漏从1500℃下10分钟的阳极烧结，以及60℃的形成电压下测定。
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