[发明专利]基于原位传感器的半导体处理工序控制无效
申请号: | 02812287.9 | 申请日: | 2002-06-17 |
公开(公告)号: | CN1602546A | 公开(公告)日: | 2005-03-30 |
发明(设计)人: | A·P·桑穆加孙达拉姆;A·T·施瓦姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 利用从原位传感器收集的数据,通过半导体处理设备控制晶片的性能。首先,在按照晶片制法参数执行的工艺中,通过原位传感器收集与晶片性能有关的数据。随后,通过修改该制法参数来调整工艺,该制法参数按照由与该晶片性能有关的该原位传感器收集的该数据和由用于预测晶片产出的工艺模型所预测的该结果之间的比较结果来修改。接下来,利用由该原位传感器收集的该数据执行后续工艺。在本发明的至少一些实施例中,该数据可用于在由该设备处理的后续晶片上的流程到流程的控制。 | ||
搜索关键词: | 基于 原位 传感器 半导体 处理 工序 控制 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体处理设备中,利用从原位传感器收集的数据控制晶片性能的方法,所述方法包括以下步骤:(1)按照工艺模型设定与所述晶片性能有关的制法参数,其中所述模型用于预测晶片产出;(2)按照所述制法参数用该设备在晶片上执行工艺;(3)在执行所述工艺期间,用所述原位传感器收集与所述晶片性能有关的数据;(4)按照由所述原位传感器收集的与所述晶片性能有关的所述数据与由所述模型预测的结果之间的比较结果,通过修改所述制法参数来调整所述工艺;及(5)将通过所述原位传感器收集的所述数据用到由该设备在后续晶片上执行的工艺中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料有限公司,未经应用材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02812287.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:逆变器
- 下一篇:用于提供频道状态信息的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造