[发明专利]用于半导体工艺中高级工艺控制的动态度量方案和取样方案

摘要

提供用于动态调节与要测量的晶片(或其它装置)相关的取样方案的系统、方法和介质。取样方案提供管芯内特殊测量点的信息，管芯是晶片上的一部分并最终在加工后成为单个的芯片。在管芯内有候补用于测量的特殊点。可以恢复存储的管芯布局图并将其翻译成确定用于晶片上测量的有效点。当一个或多个可能表示影响制造工艺或结果的事件发生时，本发明调整测量的频率和/或空间分辨率。在所需的基础上，加工中发生测量的增加和可能相应的减少。动态度量方案，响应于建议需要附加或不同的晶片测量的特定事件，通过从取样方案中添加、减少或替换候补点来调整晶片内取样的空间分辨率。在要添加、减少或替换点的区域中的管芯布局图中的区域，点被增加，减去或替换，该系统可以从其中选择点。而且，本发明与调整晶片至晶片测量的频率一起使用。

主权项

1.一种计算机执行的，测量由制造工艺制造的至少一个产品的至少一个制造特性的方法，其包括步骤：(A)提供表示在至少一个产品上要通过制造工艺测量的一组候补点的信息；(B)通过制造工艺执行用于在至少一个产品上进行测量以测量至少一个制造特性的方案，该方案响应于所述候补点组定义要做的测量；(C)探测制造工艺中的改变，改变包括在制造工艺中接收新材料、探测制造工艺中的缺陷、在探测制造工艺中控制参数中的改变、和探测至少一个产品的测量中的变化的至少一种；(D)根据探测到的改变调整用于进行测量的方案。