[发明专利]双栅极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 02812298.4 | 申请日： | 2002-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1518772A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·布赖恩特;米凯·耶昂;K·保罗·马勒;爱德华·J·诺瓦克;戴维·M·弗里德;杰德·兰金 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅极晶体管及其制造方法，该双栅极晶体管提供了改善的器件性能和密度。本发明的优选实施例使用为双栅极晶体管设置非对称栅极掺杂，其中双栅极中的一个渐弱地掺杂为n型，而另一个渐弱地掺杂为p型。通过将栅极中的一个掺杂为n型，并将另一个掺杂为p型，所得器件的阈值电压得到了改善。具体而言，通过非对称地掺杂两个栅极，所得的晶体管可以在适当地掺杂基体的情况下，具有在能够进行低压CMOS操作的范围内的阈值电压。例如，可形成对于nFET阈值电压是在0V至0.5V之间而对于pFET是在0至－0.5V之间的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管的方法，该方法包括：a)设置半导体衬底；b)构图半导体衬底，从而设置第一基体边缘；c)邻近所述第一基体边缘设置第一费米能级的第一栅极结构；d)构图半导体衬底，从而设置第一基体边缘，半导体衬底的第一和第二基体边缘限定了晶体管的基体；以及e)邻近所述第二基体边缘设置第二费米能级的第二栅极结构。
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