[发明专利]使用复合分子材料的浮置闸极存储装置无效
| 申请号： | 02812491.X | 申请日： | 2002-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1518775A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | A·曼德尔;A·波尔曼 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种浮置闸极存储装置，该装置具有浮置闸极(20)以及位于该浮置闸极(20)上的绝缘层(22)。控制闸极(24)位于该绝缘层(22)上。该绝缘层(22)由分子矩阵所组成，该分子矩阵中分布有离子错合物。通过施加电场，该离子错合物在该分子矩阵中是可分离的，以改变该绝缘层(22)中的电阻系数(或导电性)。经由高电阻系数(低导电性)状态(电荷是由浮置闸极(20)所保留)至低的电阻系数(高导电性)状态之间的开关切换，储存在浮置闸极(20)中的电荷可以轻易地流至闸极电极(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 复合 分子 材料 浮置闸极 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种浮置闸极存储装置，包括：基材；第一绝缘层，位于该基材上；浮置闸极，与该第一绝缘层电接触；第二绝缘层，与该浮置闸极电接触；以及控制闸极，位于该第二绝缘层上；其中，该第一与第二绝缘层的至少一者具有可控制变化的电阻系数。
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