[发明专利]存储器胞元,存储器胞元排列及制造方法

摘要

本发明涉及存储器胞元，存储器胞元排列及制造方法。用于降低埋藏位线电阻值之一导电层(8)或层顺序，特别是一金属硅化物或是具有一含金属层(15)施加于上之一多晶硅层(14)，其系配置于具有一ONO内存层顺序(5、6、7)以及沟道中所配置之栅极电极(2)之内存晶体管之源极/漏极区域(3、4)之上，其中层或层顺序系已被图案化成条状，以对应于该位线。该金属硅化物系较佳地为硅化钴，该含金属层系较佳地为硅化钨或WN/W。

主权项

1.一种存储器胞元，其具有：一存储器晶体管；一栅极电极(2)，其系配置于一半导体本体(1)之一顶面或一半导体层之上，并且系通过介电材料而与半导体材料分开；以及一源极区域(3)以及一漏极区域(4)，其系形成于该半导体材料之中，该栅极电极系配置于一沟道之中，而该沟道系形成于该源极区域(3)以及该漏极区域(4)之间之该半导体材料之中，其特征在于，至少在该源极区域(3)以及该漏极区域(4)之间，以及在该漏极区域(4)以及该栅极电极(2)之间，系具有包含一存储器层(6)位于边界层(5、7)间之一层顺序；以及于每个例子中提供作为一相对应字线之部分并且被图案化成为一条(strip)状之一导电层(8)，系施加至该源极区域(3)以及该漏极区域(4)。