[发明专利]用于在衬底内制造密封微通道的方法和装置有效
| 申请号： | 02812634.3 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1556771A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 保罗·怀尔;杰里米·罗利特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了在衬底中制造密封微通道的方法和装置。该方法包括在衬底区域上形成薄膜层。在形成所述薄膜层后，在所述薄膜层内沿着一个或多个所期望的微通道的尺寸方向形成周期排列的入口窗口。在形成所述入口窗口后，在所述衬底的下层内形成所述一个或多个微通道。最后，密封所述一个或多个微通道，从而封闭沿着所期望的微通道的尺寸方向的所述一个或多个入口窗口。因此，该方法适合于在例如RF微系统、流体微系统和生物流体应用的领域中用于微机电系统的快速成型。此外，该方法可以进行集成电路的快速成型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 制造 密封 通道 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底的区域上，形成薄膜层；在形成所述薄膜层后，在所述薄膜层内形成周期排列的入口孔/入口窗口；在形成所述入口窗口后，在所述衬底的下面区域形成一个或多个微通道；以及在形成所述微通道后，将所述一个或多个微通道密封。
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