[发明专利]在基质上顶部偏移的有益组分无效

专利信息
申请号: 02812686.6 申请日: 2002-06-21
公开(公告)号: CN1520278A 公开(公告)日: 2004-08-11
发明(设计)人: 奥拉夫·艾斯勒;约瑟夫·A·加托;托马斯·J·克洛夫塔;马修·G·麦克纳利;朱莉·C·鲁尔;詹姆斯·A·斯托迪格尔;柯尔斯滕·K·斯通;舍曼·L·泰勒第二 申请(专利权)人: 宝洁公司
主分类号: A61F13/84 分类号: A61F13/84;A61F13/511
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 封新琴;巫肖南
地址: 美国俄亥俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了具有有益组分的可利用性得到改进的处理过的基质及其制备方法,该基质用于将有益组分递送至目标表面。所述基质具有包含有益组分的接触表面,所述有益组分在制品使用时从接触表面被递送至物体表面。本发明还公开了将有益组分以一定方式涂敷至制品的方法,以使组分在制品的接触表面上或邻近区域发生顶部偏移。
搜索关键词: 基质 顶部 偏移 有益 组分
【主权项】:
1.用于接触目标表面的制品,所述制品包括:a.液体可透过的多孔基质,所述多孔基质具有接触表面和与此相对设置的相对表面,其中所述基质具有从所述接触表面至所述相对表面测得的厚度“Z”;b.有益组分,所述有益组分可释放地设置在所述接触表面的至少一部分上;和c.将所述有益组分至所述多孔基质的迁移最小化的试剂,由此在所述制品使用之前,在所述基质的0至Z/3之间的厚度之上或之内存在的所述有益组分的量的比例是在所述基质的2Z/3至Z之间的厚度内的所述组分的量的至少约2.2倍。
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