[发明专利]引线的接触结构及其制造方法,包括该接触结构的薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 02812690.4 | 申请日： | 2002-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1628389A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 林承泽;洪雯杓;卢南锡;宋泳周;郭相基;崔权永;宋根圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28;G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 接触 结构 及其 制造 方法 包括 薄膜晶体管 阵列 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种形成引线接触结构的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成引线组件，其具有第一导电层；在引线组件上沉积绝缘层，使绝缘层覆盖引线组件；构图绝缘层，从而形成暴露引线组件侧壁的接触孔；以及形成第二导电层，使第二导电层通过接触孔与引线组件的侧壁接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02812690.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：绿茶多酚的制造法
- 下一篇：延迟的优先级增强的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
