[发明专利]亚微型自偏压射地－基地射频功率放大器有效
| 申请号： | 02812745.5 | 申请日： | 2002-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1647365A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | T·S·H·索拉蒂 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种增加功率放大器中最大可使用的电源电压的方法。一种自偏压射地－基地放大器电路包括连接在一个直流电压源端和公共端的串连连接的一个第一MOSFET晶体管和一个第二MOSFET晶体管。一个RF信号端被连接到所述第一MOSFET的栅极电极，并且所述第二MOSFET的栅极被连接在位于所述第二MOSFET的漏极和所述第一MOSFET的源极之间的串联连接的电阻和电容之间。在优选实施例中，一个单向导通增压子电路被连接在所述第二MOSFET的漏极电极和栅极电极之间，该子电路可以包括一个电阻性二极管子电路，或者跨电阻性分压器连接的第三MOSFET。该放大器电路的输出被从所述第二MOSFET的漏极取出。这样的结构允许第一和第二MOSFET能承受更大的输出电压摆幅，因此允许使用更高的电源电压和增加的输出功率而不需要复杂的偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 偏压 基地 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
1.一种增加功率放大器电路中最大可使用电源电压的方法，包括：使用射地-基地结构；和自偏压所述射地-基地结构(3A10，3B10)。
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