[发明专利]光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 02812972.5 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1520534A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 新田和行;三村岳由;嵨谷聪;大久保和喜;松海达也 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶组合物，其包括(A)多羟基苯乙烯，其中至少一部分羟基氢原子被可酸离解的溶解抑制基团取代，并且当可酸离解的溶解抑制基团被酸的作用消除时，多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大，和(B)通过使用放射线照射能够产生酸的组分，其中在使用盐酸的离解试验后，组分(A)的可酸离解的溶解抑制基团的保留率为40％或更小，还提供一种含有多羟基苯乙烯的化学放大型阳性光刻胶组合物，所述代替组分(A)的多羟基苯乙烯中至少一部分羟基氢原子被含有直链或支链烷氧基的低级烷氧基－烷基取代，并且当所述低级烷氧基－烷基被酸的作用消除时，多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 组合 层压 材料 图案 形成 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种化学放大型阳性光刻胶组合物，其包含下列组分(A)和(B)：(A)多羟基苯乙烯，其中至少一部分羟基氢原子被可酸离解的溶解抑制基团所取代，并且当可酸离解的溶解抑制基团被酸的作用消除时，多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大，和(B)能够通过使用放射线照射产生酸的组分，其中在使用盐酸的离解试验后，组分(A)的可酸离解的溶解抑制基团的保留率为40％或更小。
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