[发明专利]用于等离子体反应器中的射频去耦和偏压控制的设备和方法有效

专利信息
申请号: 02813070.7 申请日: 2002-06-27
公开(公告)号: CN1620711A 公开(公告)日: 2005-05-25
发明(设计)人: 安德瑞斯·费舍尔 申请(专利权)人: 拉姆研究公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种用于在宽范围内控制偏压和用于对双射频(RF)电流进行去耦以允许独立地控制用于处理基板的等离子体的等离子体密度和离子能量的方法和设备。示例性的设备提供了等离子体处理室,该等离子体处理室包括被配置得保持一基板的底部电极和连接于底部电极的第一和第二RF电源。还包括与顶部地线延伸部电隔离的顶部电极。包括限定一组滤波器装置的滤波器阵列。一开关耦合于顶部电极并且该开关被配置得将顶部电极互连到一个滤波器装置。滤波器装置被配置得允许或禁止由RF电源的一个或两个所产生的RF电流流过顶部电极。
搜索关键词: 用于 等离子体 反应器 中的 射频 偏压 控制 设备 方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理室,其包括:底部电极,被配置得保持一基板;第一和第二射频(RF)电源,与底部电极相连;顶部电极,与顶部地线延伸部电隔离;滤波器阵列,用于限定一组滤波器装置;和开关,耦合于顶部电极,该开关被配置得将顶部电极互连到所述滤波器装置组中的所选定的一个,所述滤波器装置组中的一个的选定被配置得基本上允许或禁止由第一RF电源和第二RF电源中的一个或两个所产生的RF电流流过顶部电极。
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