[发明专利]光电子器件集成无效
| 申请号： | 02813090.1 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1579002A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 格雷格·杜德夫;约翰·特雷泽 | 申请（专利权）人： | 美莎诺普有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种将芯片和背部活性光学芯片集成在一起的方法。背部活性光学芯片至少有一个光学器件，有一个活性侧面，包括一个光学活性区域和一个光学非活性区域，每个都邻接于衬底(102)，一个和活性侧面相对的键合侧面，和一个器件厚度。该方法包括，如果在光学活性区域上方的衬底有一个超过100微米的衬底厚度(t)，就使在光学活性区域上的衬底减薄，而在光学非活性区域上至少保留一些衬底；使用弹抛片工艺把光学芯片键合到电子芯片(508)上；在光学活性区域上方的衬底上制造光学接近进路(510)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 集成 | ||
【主权项】：
1.一种将一个芯片和一个背面活性光学芯片集成在一起的方法，该背面活性光学芯片至少包括一个光学器件，该器件具有一个活性面，包括每一个都邻接衬底的一个光学活性区域和一个光学非活性区域，一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度；该方法包括：当衬底在光学活性区域上方有一个超过100微米的衬底厚度的时候，使光学活性区域上方的衬底减薄，而在光学非活性区域上方至少保留一些衬底；运用弹抛片工艺将光学芯片键合到电子芯片；在光学活性区域上方的衬底上制造光学接近进路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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