[发明专利]在微机电结构应用中形成间隙的牺牲层技术无效
| 申请号： | 02813191.6 | 申请日： | 2002-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1522223A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | Q·马;P·程 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;章社杲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法，包括：在衬底的一定区域上形成多个三维第一结构；在形成第一结构之后，在所述衬底的区域上共形引入牺牲材料；在牺牲材料上引入第二结构材料；以及清除牺牲材料。一种装置，包括：处于衬底上的第一结构；以及处于衬底上被清除的薄膜的厚度所确定的未被填充的间隙与第一结构分隔的第二结构。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 结构 应用 形成 间隙 牺牲 技术 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底的一定区域上形成多个三维第一结构；在形成第一结构之后，在所述衬底的区域上共形引入牺牲材料；在所述牺牲材料上引入第二结构材料；以及清除牺牲材料。
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