[发明专利]单步骤中结合临界尺寸及披覆之测量方法有效
| 申请号： | 02813203.3 | 申请日： | 2002-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1522389A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | M·坎蒙斯;T·莫诺;V·克利;J·波尔;P·温斯利 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一披覆图样中之一种半导体晶圆结构，其允许藉由CD SEM于一单次操作中沿着一已知轴决定披覆以及临界尺寸特征，包含：a)一中心特征结构提供一临界尺寸点沿着一已知轴；b)复数的较小区域位于该邻接中心特征区域沿着该已知轴，其包含复数的空间介于每一复数的较小区域之间；以及c)复数的置换线路邻接复数的较小区域用以取代一复数的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 步骤 结合 临界 尺寸 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一披覆图样中半导体晶圆之结构，其允许藉由在一单次操作中沿着一已知轴之CD SEM决定披覆以及临界尺寸特征，包含：a)一中心特征区域提供沿着一已知轴之一临界尺寸点；b)复数的较小区域位于邻接该中间特征区域沿着该已知轴，其包含复数的空间介于每一该复数的较小区域之间；以及c)复数的置换线路邻接该复数的该较小区域用以取代复数的空间。
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