[发明专利]相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法无效
| 申请号： | 02813254.8 | 申请日： | 2002-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1533606A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·徐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/102 | 分类号： | H01L27/102;H01L21/762;H01L45/00;H01L27/24;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种相变存储器器件。所述器件包括围绕二极管栈的双沟槽隔离结构，所述二极管栈与下电极连通。本发明还涉及一种制造芯片存储器器件的方法。所述方法包括在存储器单元结构二极管栈周围形成两个正交和交叉的隔离沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 沟槽 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器器件，包括：存储器单元结构；第一隔离沟槽，邻接所述存储器单元结构；和第二隔离沟槽，邻接所述存储器单元结构，并正交于所述第一隔离沟槽，其中所述存储器单元结构的第一边定义了单位单元的第一特征，其中所述存储器单元结构的第二边定义了所述单位单元的第二特征，其中所述第一隔离沟槽的边定义了所述单位单元的第三特征，其中所述第二隔离沟槽的边定义了所述单位单元的第四特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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