[发明专利]通过利用原子氧氧化提高栅极活性的方法无效
| 申请号： | 02813695.0 | 申请日： | 2002-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1524288A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | A·C·阿杰梅拉;O·H·多库马茨;B·B·多里斯;O·格卢斯陈克夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于Si的MIS晶体管的制造方法，通过降低侧壁氧化工艺的热预算，防止了栅极导体的多晶晶粒显著变大。晶体管结构包括由栅极介质层(12)覆盖的硅衬底(10)，在栅极介质层(12)上形成有多晶硅栅极(14)，对该晶体管结构进行氧化工艺过程以形成侧壁(16)。通过利用原子氧作为氧化环境，与现有技术的侧壁氧化工艺得到的通常的热预算相比，本发明的侧壁氧化工艺的热预算降低了一个或两个数量级。本发明也提供了具有晶粒尺寸为约0.1，优选0.05μm或更小的栅极导体的基于Si的MIS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 利用 原子 氧化 提高 栅极 活性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于Si的金属绝缘体半导体(MIS)晶体管的制造方法，包括以下步骤：(a)在栅介质的表面上形成包括具有小于约0.1μm晶粒的构图的含Si半导体多晶区的结构，所述栅极介质形成在含Si衬底的表面上；(b)对所述结构进行侧壁氧化工艺，其中使用原子氧以氧化所述含Si半导体多晶区的一部分；(c)将掺杂剂离子注入到所述含Si衬底和所述含Si半导体多晶区内；以及(d)激活所述掺杂剂离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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