[发明专利]在减低压力的情况下掺杂、扩散及氧化硅片的方法和装置

摘要

本发明涉及一种对硅片(4)进行掺杂、扩散或氧化的方法，所述硅片置于炉子(1)的炉室(2)之中，炉室中至少引入一种气体以进行上述掺杂、扩散或氧化作业过程。本发明的特征在于，方法包括：在将气体引入和通过炉子(1)的炉室(2)中的同时，连续地使气体受到一恒定值的压力的降低。掺杂、扩散或氧化硅片(4)的装置包括一炉子(1)，该炉子(1)具有一炉室(2)，室中设置硅片，所述炉子至少包括一进气管(5a，5b，5c)，用于将至少一种气体通入炉室(2)之中进行所述加工作业以及包括至少一个排气管(6)以排出通入室中的气体，该排气管与一抽气装置相连，以在炉室(2)中产生一恒定及受控制的压力的降低。

主权项

1.一种掺杂、扩散或氧化硅片(4)的方法，所述硅片置于一炉子(1)的炉室(2)内，在炉室(2)内至少引入一种气体以完成上述掺杂、扩散或氧化作业，其特征在于，在把硅片引入炉室(2)内及把气体通入炉子(1)的炉室(2)内的同时，使通入的气体连续地处于一定值的低于大气压力的低压之下。