[发明专利]等离子体处理中采用微射流的低能离子产生和输运方法和装置

摘要

本发明公开一种产生和输运用于半导体晶片的等离子体处理的低能离子的方法。在本发明的一个示例的实施例中，该方法包括由气体物质形成等离子体以产生等离子体排出气体。然后将此等离子体排出气体引入包含晶片的处理室内。通过在等离子体引入处理室时激发一个辅助离子源可增加等离子体排出气体的离子含量，从而在室内产生原发等离子体放电。然后，原发等离子体放电接着被导至挡板组件，由此产生二次等离子体放电并从挡板组件中出来。于是作用于二次等离子体放电内的离子上的电场强度下降。因而降低的电场强度使得这些离子轰击晶片的能量不足以造成形成于晶片上的半导体器件的损坏。

主权项

1.一种工件等离子体处理系统，该系统包括：一功率发生器组件，用来将气体激发成等离子体；一处理室，用来处理安置在室内的工件；一个等离子体管，用来将等离子体排出气体从该等离子体管送入所述处理室；一位于所述处理室附近的辅助离子源，；当所述辅助离子源被激发时，等离子体排出气体的离子含量增加；一挡板组件，其位于所述处理室内的等离子体管和工件之间；隔离装置，用来将工件与鞘层内的电场电位屏蔽开来，该鞘层是通过激发所述辅助离子源而产生的。