[发明专利]MSQ－基多孔低－K薄膜材料的等离子体固化无效
| 申请号： | 02814288.8 | 申请日： | 2002-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1537325A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | Q·韩;C·瓦尔德弗里德;O·埃斯科西亚;R·阿巴诺;I·L·贝里三世;J·詹格;I·巴尔 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司;切马特科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金;庞立志 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 弹性模量提高的低介电常数薄膜材料。制造这类薄膜材料的方法包含：提供一种由一种含至少2个Si－CH3基团的树脂制成的多孔甲基倍半硅氧烷－基介电薄膜材料并等离子体固化该多孔薄膜材料，以使该薄膜转化为多孔二氧化硅。多孔薄膜材料的等离子体固化产生一种模量与脱气性提高的薄膜。弹性模量的提高一般大于或约为100％，更典型地，大于或约为200％。该薄膜在低于或约为350℃的一个温度下等离子体固化约15～约120秒钟。该等离子体固化的多孔薄膜材料可任选地进行退火处理。与等离子体固化多孔薄膜材料相比，等离子体固化薄膜的退火可减小薄膜的介电常数，同时保持提高的弹性模量。退火温度一般低于或约为450℃。退火等离子体固化薄膜的介电常数范围为约1.1～约2.4，且弹性模量有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | msq 基多 薄膜 材料 等离子体 固化 | ||
【主权项】：
1.一种制造等离子体固化材料的方法，该方法包含：提供一种具有第一介电常数与第一弹性模量的多孔甲基倍半硅氧烷-基介电薄膜材料，其中，多孔薄膜材料由一种含至少2个Si-CH3基团的树脂制成；以及将该多孔薄膜材料等离子体固化以减少一定量的Si-CH3键并产生具有第二介电常数和第二弹性模量的含SiOx等离子体固化多孔薄膜材料，其第二介电常数与第一介电常数相当，第二弹性模量大于第一弹性模量，以及其中，x是一个介于1-2之间的数字。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
