[发明专利]磁性传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 02814459.7 | 申请日： | 2002-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1533613A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黑江章郎;村松小百合;村田明夫;高桥健;户崎善博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;G01R33/02;G11B5/33 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了得到具有与导电性非磁性膜相对的软磁性膜、并以比较低频的载波信号能够得到较大的阻抗变化的磁阻抗型磁性传感器，具有与两端至少一对电极端的弯曲形状的曲折型导电性非磁性薄膜在多个区域相对的带状的、而且在带状的宽度方向具有易磁化轴的软磁性膜，对前述电极端加上高频载波信号、同时加上直流偏置磁场。通过对前述电极端输出的AM调制信号进行AM检波，能够将因外部磁场而变化的导电性非磁性膜的阻抗变化作为高频载信号的变化进行检测，并检测出外部磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁性传感器，其特征在于，包括在沿膜面的规定方向具有易磁化轴的软磁性膜，与所述软磁性膜用电气绝缘物隔开并在其上曲折设置的、与所述软磁性膜的易磁化轴平行的部分的长度比与所述易磁化轴垂直的部分的长度要长的带状导电性非磁性膜，在所述导电性非磁性膜中流过高频电流用的高频电源，以及根据所述高频电流流过的所述导电性非磁性膜的因外部磁场而引起的阻抗变化来检测所述外部磁场的检测电路。
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