[发明专利]通过离子注入产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅结构的方法

摘要

本发明涉及一种用于产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅(SOI)结构的方法，其中硅衬底经受理想析出晶片热处理，所述理想析出晶片热处理使衬底能在基本上是任何任意的电子器件制造工艺热处理周期过程中形成一种理想氧析出物非均匀深度分布，及其中介电层通过在表面下方注入氧或氧离子、或分子氧并使晶片退火而在晶片表面的下方形成。此外，硅片可以开始包括一个外延层，或者可以在本发明的方法过程中在衬底上淀积外延层。

主权项

1.用于产生一种绝缘体衬底硅结构的方法，所述绝缘体衬底硅结构包括一个硅衬底，该硅衬底具有：两个主要的一般平行的表面，其中一个表面是前表面和另一个表面是后表面；一个在前表面和后表面之间的中心平面；一个包括在前表面和一个当从前表面朝向中心平面方向测量时为至少约10微米的距离D1之间的衬底的第一区域的表面层；及一个包括在中心平面和第一区域之间的衬底的第二区域的体层；一个接合前表面和后表面的圆周边缘；一个中心轴线；及一个从中心轴线延伸到圆周边缘的半径；所述方法包括：把氧注入硅衬底中，以便引起形成一个介电层，所述介电层一般平行于衬底的前表面，并位于前表面和中心平面之间的一个区域中；使硅衬底经受一理想析出热处理，以便引起形成一种晶格空位的非均匀分布，使体层中的空位浓度大于表面层中的空位浓度；及将一个外延层淀积在硅衬底的前表面上。