[发明专利]电子发射体及其制造方法、冷阴极场致电子发射部件及其制造方法和冷阴极场致电子发射显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02814520.8 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1533579A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 八木贵郎;岛村敏规 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 冷阴极场致电子发射部件由以下部分构成：设置于支持体10上的阴电极11；形成于支持体10和阴电极11之上的绝缘层12；形成于绝缘层12上的栅电极13；形成于栅电极13和绝缘层12的开口部14A、14B；在位于开口部14B底部的阴电极11部分之上所形成的电子发射部15。电子发射部15由基质21和以前端部突出的状态埋置于该基质21中的碳纳米管结构体20构成。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 及其 制造 方法 阴极 致电 部件 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射体，其特征在于，由基质和以前端部突出的状态埋置于该基质中的碳纳米管结构体构成。
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