[发明专利]热处理装置以及热处理方法无效
| 申请号： | 02814599.2 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1533592A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 大南信之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/22;H01L21/324;C23C16/46;G05D23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;郑建晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供热处理温度的收敛快并且在宽泛的处理温度范围温度稳定性高的热处理装置。热处理装置，具有对收容的被处理体进行热处理的处理室、沿处理室外面形成的流体通道、设置在流体通道中的前述热处理用的加热机构、使流体接触加热机构的加热面地通过流体通道的流体通过机构、在热处理过程中的至少一个阶段控制通过流体通道的流体的温度以及流量的控制机构。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，其特征在于具有：对收容的被处理体进行热处理的处理室；沿处理室外面形成的流体通道；设置在流体通道中的前述热处理用的加热机构；使流体接触加热机构的加热面而通过流体通道的流体通过机构；在热处理中的至少一个时期控制通过流体通道的流体的温度以及流量的控制机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
