[发明专利]用于热处理衬底的方法和装置无效
| 申请号： | 02814635.2 | 申请日： | 2002-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1533588A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | M·豪夫;C·施特里贝尔 | 申请（专利权）人： | 马特森热力产品有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G01J5/06;C23C16/48;H05B3/00;C30B31/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;章社杲 |
| 地址： | 德国多*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了以简单且经济的方法进行以高温计为基础的、对低温也能够实现的精确温度测量，本发明提供了一种装置和一种方法用于对衬底进行热处理，其中，衬底通过至少一个第一辐射源和至少一个第二辐射源被照射，在第一辐射源与衬底之间的第一辐射的给定波长被吸收，一个来自衬底的给定波长的辐射通过一个辐射检测器被测量，该辐射检测器与第二辐射源设置在同一侧，调制来自第二辐射源的第二辐射并且获得来自第二辐射源的第二辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 热处理 衬底 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于对衬底、尤其是半导体晶片进行热处理的装置，具有至少一个第一辐射源和至少一个第二辐射源用于加热衬底，至少一个位于第一辐射源与衬底之间的透明遮热板，该遮热板减小至少第一辐射源辐射的给定波长范围，至少一个设置在第二辐射源一侧的、对准衬底的辐射检测器，它测量至少部分地在给定波长范围内部的辐射，一个用于调制至少由第二辐射源发出的辐射的装置，和一个用于确定从第二辐射源发出的辐射的装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
