[发明专利]单片半导体压电器件结构和电－声电荷传送器件

摘要

通过在硅片上首先生长中间张力减轻层可以生长覆盖硅片的结晶压电材料如铌酸锂和钽酸锂的外延层。在压电层生长之前，张力减轻层是结晶的金属氧化物，帮助桥接硅和压电材料之间的晶格失配。在薄结晶压电层生长之后，非晶化张力减轻层以去耦硅和压电晶格。然后可以重新开始压电层的生长，以获得适合于电－声器件制造的优质厚层。可以使用外延的压电层制造无源和有源电－声器件。具体地，设计和制造利用硅和压电外延覆盖层的声音电荷传送器件。电－声器件可以与在硅片上制造的半导体器件电路集成。

主权项

1.一种单片半导体压电结构，其包括：第一单晶半导体材料的衬底；至少一个张力减轻材料层，每个所述的至少一个张力减轻材料层覆盖所述的单晶半导体衬底的各个部分；压电材料的至少一部分，每个所述的部分覆盖所述至少一个张力减轻材料层的相应层；以及至少部分地在压电材料的至少一个所述部分中的电-声器件。