[发明专利]用于高各向异性介质的写入磁头无效
| 申请号： | 02814811.8 | 申请日： | 2002-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1535463A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | M·W·科文格顿;T·M·科劳弗德;G·J·帕克尔;P·A·范德海也顿 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/012;G11B5/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于将信息位写到磁性存储介质(94)上的写入磁头(66)包括第一写入电极(72)，用于在第一方向上的第一磁场，和第二写入电极(70)，用于产生第二磁场从而来自两个电极的组合磁场基本沿第一方向或在正交于第一方向的第二方向上。第二写入电极包括自由层(76)，具有由自旋转移扭矩控制的磁化强度，和第一垫片(82)，位于自由层和第二写入电极之间。写入磁头还可以包括固定层(78)和第二垫片(80)位于固定层和自由层之间。还包括磁盘驱动器(10)，它包括写入磁头和使用写入磁头写到磁性存储介质上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 各向异性介质 写入 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种写入磁头(66)，用于将信息位写到磁性存储介质(94)上，其特征在于，所述写入磁头包括：第一写入电极(72)，用于在第一方向上产生第一磁场；和第二写入电极(70)，用于产生第二磁场，从而来自第一和第二写入电极的组合磁场或者大体沿第一方向或者在与所述第一方向基本垂直的第二方向上，其中第二写入电极包括自由层(76)，其磁化强度由自旋转移扭矩控制，和第一垫片(82)，置于所述自由层和所述第一写入电极之间。
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