[发明专利]基座轴的真空泵吸有效
| 申请号： | 02815295.6 | 申请日： | 2002-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1539158A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 桑盖·亚达夫;权原·尚;厄恩斯特·凯勒;威·张 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此所提供的是一种提高在将材料膜沉积到衬底的过程中所使用的基座的支撑板的平面度的方法，包括下列步骤：将轴的中空芯中的压力减小到低于大气压的水平；以及将沉积室中的压力减小到将材料膜沉积到衬底上所要求的水平，其中在轴的中空芯中的压力作用于支撑板的下表面上，该下表面被连接到轴且与轴的中空芯相对接，沉积室中的压力作用于支撑板的适于支撑衬底的上表面上，由此来提高平面度。还提供了基座和将膜沉积到被固定至本发明的基座上的衬底上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 真空泵 | ||
【主权项】：
1.一种提高在将材料膜沉积到衬底的过程中所使用的基座的支撑板的平面度的方法，包括下列步骤：将轴的中空芯中的压力减小到低于大气压的水平；以及将沉积室中的压力减小到将材料膜沉积到所述衬底上所要求的水平，其中在所述轴的中空芯中的压力作用于所述支撑板的下表面上，所述下表面被连接到所述轴且与所述轴的中空芯相对接，所述沉积室中的压力作用于所述支撑板的适于支撑所述衬底的上表面上，由此来提高平面度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
