[发明专利]提供去除速率曲线处理的化学机械抛光设备的反馈控制无效
| 申请号： | 02815451.7 | 申请日： | 2002-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1554118A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | A·P·桑穆加孙达拉姆;A·T·施瓦姆;G·B·普拉布 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在抛光操作中控制晶片表面非均匀性的方法，包括：(a)提供一种晶片抛光模式，该模式在晶片上定义多个分区，并且在抛光工艺的抛光步骤中，确定这些分区的每一个分区的晶片材料去除速率，其中所述抛光工艺包括多个抛光步骤；(b)根据进料晶片的厚度曲线，用第一抛光配方抛光晶片；(c)为经过步骤(b)抛光的晶片确定晶片厚度曲线；以及(d)基于步骤(c)的所述晶片厚度曲线以及步骤(a)的所述模式计算更新的抛光配方，以保持目标晶片厚度曲线。所述模式定义工具状态对抛光效果的影响。所述方法可以用来对多个台板台提供反馈数据。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 去除 速率 曲线 处理 化学 机械抛光 设备 反馈 控制 | ||
【主权项】：
1.一种在抛光操作中产生均匀晶片厚度曲线的方法，该方法包括：(a)提供一个晶片抛光模式，该模式在晶片上定义多个分区，并且在抛光步骤中，确定这些分区的每一个分区的晶片材料去除速率；以及(b)用一种为每个分区生成目标厚度曲线的抛光配方，抛光晶片。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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