[发明专利]记忆胞元无效
| 申请号： | 02815454.1 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1539170A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | F·霍夫曼恩;J·威勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种记忆胞元，具有：一源极区，一汲极区，一源极端控制闸，一汲极端控制闸，被安置于该源极端控制闸及该汲极端控制闸间之一射出闸，被安置于该源极端控制闸中之一源极端储存组件，及被安置于该汲极端控制闸中之一汲极端储存组件。为了设计记忆胞元程序，低电压系被施加至该射出闸，而高电压系被施加至该控制闸。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 | ||
【主权项】：
1.记忆胞元，具有：一基板；被形成于该基板中之一源极区，被形成于该基板中之一汲极区，一信道区，其伸展于该源极区及该汲极区之间且具有可变导电率，一源极端控制闸，其至少部份延伸于邻接该信道区之该源极区之源极端边缘区段，且被设计来改变该源极端边缘区段之导电率，一汲极端控制闸，其至少部份延伸于邻接该信道区之该汲极区之汲极端边缘区段，且被设计来改变该汲极端边缘区段之导电率，一射出闸，其被安置于该源极端控制闸及该汲极端控制闸之间，电绝缘于后者，延伸于该信道区中央区段且被设计来改变该中央区段之导电率，该中央区段延伸于该信道区之该源极端控制闸及该汲极端控制闸之间，一源极端储存组件，其至少延伸于该源极端边缘区段及该源极端控制闸之间，及一汲极端储存组件，其至少延伸于该汲极端边缘区段及该汲极端控制闸之间，一闸极氧化物装置，其具有至少一闸极氧化物层，一端延伸于该基板及该源极端控制闸之间，另一端延伸于该汲极端控制闸及该射出闸之间。
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