[发明专利]处理一种如半导体晶片的工件的方法和设备有效
申请号: | 02815487.8 | 申请日: | 2002-07-23 |
公开(公告)号: | CN1539161A | 公开(公告)日: | 2004-10-20 |
发明(设计)人: | 迈克尔·肯尼;布赖恩·埃格特尔;埃里克·伯格曼;达娜·斯克兰顿 | 申请(专利权)人: | 塞米特公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;B08B6/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 美国蒙*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在用于清洁工件或晶片的系统中,在该工件表面形成一被加热液体的边界层。臭氧被提供到该工件周围。该臭氧在所述边界层中扩散并与该工件表面的污染物发生化学反应。一股高速的被加热液体喷流被引向所述工件,以物理方式上从所述工件驱逐或去除污染物。该喷流在撞击位置穿过所述边界层。而该边界层大部分不受到影响。比较理想的是,该液体包含水,也可以包含一种化学物质。蒸汽也被喷向所述工件,该蒸汽也可以以物理方式去除污染物,并加热该工件以加速该化学清洁过程。所述工件和所述液体喷流彼此相对移动,从而面向该喷流的所述工件的全部表面至少可以即刻的充分暴露于该喷流。声波或电磁能量也可被引入该工件。 | ||
搜索关键词: | 处理 一种 半导体 晶片 工件 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于清洁平面介质工件的方法,包括以下步骤:在所述工件上形成一被加热液体的边界层;向所述工件周围的环境提供臭氧;以及将一液体喷流引入所述边界层以物理的方式驱逐所述工件上的污染物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造