[发明专利]薄膜形成装置的洗净方法有效
| 申请号： | 02815512.2 | 申请日： | 2002-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1539159A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 西村和晃;东条行雄;P·斯波尔;多胡研治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 洗净 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成装置的洗净方法，将处理气体供给薄膜形成装置的反应室内而在被处理体上形成薄膜之后，去除附着在装置内部的附着物，其特征在于，包括以下工序：将上述反应室内加热到规定温度的加热工序；将含有氟气和可促进该氟气活化的添加气体的清洗气体供给通过上述加热工序已加热到规定温度的反应室内，通过将该清洗气体加热到规定温度，使清洗气体中所含的氟气活化，利用该被活化后的氟气去除上述附着物而洗净薄膜形成装置内部的洗净工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
