[发明专利]低K金属前电介质半导体结构有效
| 申请号： | 02815665.X | 申请日： | 2002-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1541403A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·康蒂;丹尼尔·埃德尔斯坦;吉尔·Y·李 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;因菲尼奥恩技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 介绍了在半导体晶片上的低k金属前电介质(PMD)结构和该PMD结构的制造方法。该PMD结构包括低k电介质膜(170)，其具有良好间隙填充特性，尤其是当形成在装置(130)例如栅叠层之间的间隙(160)具有大于大约3的高宽比时。形成PMD结构的方法使用加热准常压CVD工艺，其包括含碳有机金属前体(260)例如TMCTS或OMCTS、含臭氧的气体(270)和掺杂剂源(280)，以吸附碱性元素并降低电介质的回流温度，同时获得电介质膜(170)所需的低k和间隙填充性质。磷是用于吸附碱性元素例如钠的优选掺杂剂。用于降低回流温度的附加掺杂剂包括但不限于硼、锗、砷、氟或其组合。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电介质 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种金属前电介质(PMD)半导体结构，包括：半导体晶片(210)，具有在所述晶片的表面上的装置，其中所述装置(130)被间隔开以在所述装置之间形成至少一个间隙(160)，其中所述至少一个间隙具有大约大于3的高宽比；和覆盖所述表面的低k膜(170)，其中所述低k膜无空洞地填充所述至少一个间隙，且所述低k膜包括掺杂剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
