[发明专利]具有有源沟槽角落和厚底部氧化物的沟槽型MIS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02815674.9 | 申请日： | 2002-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1541417A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 默罕穆德·N·达维什;克里斯蒂娜·尤;弗雷德里克·P·贾尔斯;刘凯宏;陈阔因;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕塔纳亚克 | 申请（专利权）人： | 西利康尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沟槽型MOSFET(40)，包括有源角落区域(25)和居中位于沟槽(19)底部的厚绝缘层(33)。薄的栅极绝缘层(15)衬在沟槽(19)的侧壁和底表面周边部分上。栅极(14)填充该沟槽，邻近该薄绝缘层(15)。栅极(14)邻近厚绝缘层(33)的侧面和顶部。厚绝缘层(33)将栅极(14)与沟槽(19)底部的漏极导电区(13)隔开，形成减小的栅极对漏极电容，并使MOSFET(40)尤其适用于高频应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有源 沟槽 角落 底部 氧化物 mis 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘体-半导体器件，包括：半导体衬底，该半导体衬底包括自所述衬底表面延伸进入所述衬底内的沟槽；与所述沟槽的侧壁和所述表面相邻的第一导电类型的源极区；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的体区，该体区邻近所述源极区和所述侧壁，并邻近所述沟槽的底表面的第一部分；以及所述第一导电类型的漏极区，其邻近所述体区和所述沟槽的所述底表面的第二部分；其中，所述沟槽至少沿毗邻所述体区的所述侧壁、以及至少沿毗邻所述体区的所述底表面的所述第一部分衬以第一绝缘层，并且其中所述沟槽至少沿所述沟槽的所述底表面的所述第二部分衬以第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层连接，且所述第二绝缘层比所述第一绝缘层厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西利康尼克斯股份有限公司，未经西利康尼克斯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02815674.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：真空排气装置以及真空排气装置的运转方法
- 下一篇：大量生产多个磁传感器的方法
- 同类专利
- 专利分类
